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陶氏電子材料研發(fā)中心落戶首爾
發(fā)布時間:2012-03-31

作者:張秀鳳     文章來源:中國化工報     更新時間:2012-03-29

  中化新網(wǎng)訊     3月21日,陶氏化學(xué)公司投資亞洲的又一重要舉措——陶氏電子材料全球研發(fā)中心在韓國首爾正式落成。該中心旨在推動顯示器和半導(dǎo)體相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)和進(jìn)步,建立半導(dǎo)體、顯示器和發(fā)光二極管(LED)先進(jìn)生產(chǎn)基地。


   該研發(fā)中心坐落于韓國的京畿道華城市,占地2.37萬平方米。據(jù)介紹,該中心計劃聘用300余名科研人員從事光刻機(jī)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、顯示材料、高級芯片封裝等重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)研發(fā)。包括該研發(fā)中心在內(nèi),陶氏近十年在韓國投資已超過4億美元。